波長可変半導体レーザー

波長可変単一周波数半導体レーザーは波長選択とチューニングのための回折格子(グレーティング)と半導体レーザーから構成されます。モデルごとに190 nmから4000 nmの豊富なライナップから選択することが可能です。単一周波数発振と広い波長チューニングを同時に実現し最大で120 nmのモードホップフリーチューニングが可能です。
 これらのレーザーのパワーは独立型の光半導体増幅器または完全なマスターオシレータパワーアンプ(MOPA)を用いて増幅することが可能で最大4 WのCWパワーを可能とします。ほとんどのトプティカ社の光増幅器システムではテーパ型光アンプを採用しています。
上記以外の波長領域も周波数変換レーザーシステムを用いることで入手可能です。190 nmから最大680 nmの波長レンジで最大1 Wの出力を得ることが可能です。
全てのこれらのレーザーシステムの重要な特性としてローノイズであること(RINノイズおよび線幅)、また低ドリフト量が上げられます。こうした特性は独自設計の最高性能を持ったコントロールエレクトロニクスを用いることで可能になりました。さらに安定化を求める場合にはレーザーロッキングエレクトロニクスを用いることで最小で 1Hzレベルの線幅と便利なデジタルコントロールが可能となります。

トプティカ社の波長可変半導体レーザーでは、レーザーラックシステムに搭載可能なラックマウント型もございます。