波長可変単一周波数半導体レーザーは波長選択とチューニングのための回折格子(グレーティング)と半導体レーザーから構成されます。モデルごとに369 nmから3500 nmの豊富なライナップから選択することが可能です。単一周波数発振と広い波長チューニングを同時に実現し最大で110 nmのモードホップフリーチューニングが可能です。
これらのレーザーのパワーは独立型の光半導体増幅器または完全なマスターオシレータパワーアンプ(MOPA)を用いて増幅することが可能で最大3.5 WのCWパワーを可能とします。ほとんどのトプティカ社の光増幅器システムではテーパ型光アンプを採用しています。
上記以外の波長領域も周波数変換レーザーシステムを用いることで入手可能です。190 nmから最大680 nmの波長レンジで最大1 Wの出力を得ることが可能です。
全てのこれらのレーザーシステムの重要な特性としてローノイズであること(RINノイズおよび線幅)、また低ドリフト量が上げられます。こうした特性は独自設計の最高性能を持ったコントロールエレクトロニクスを用いることで可能になりました。さらに安定化を求める場合にはレーザーロッキングエレクトロニクスを用いることで最小で 1Hzレベルの線幅と便利なデジタルコントロールが可能となります。
波長可変半導体レーザー / DFB レーザー
| Wavelength | Output power | Typical tuning range | Typical mode-hop-free tunability | Typical linewidth (5 µs) | |
|---|---|---|---|---|---|
MDL pro | 4 out of 369 .. 1625 nm | Up to 160 mW | 2 .. 100 nm | 20 GHz / 1000 GHz | 50 .. 3000 kHz |
CTL | 950, 1050, 1320, 1470, 1500, 1550 nm | Up to 80 mW | Up to 110 nm | 60 .. 110 nm | 5 kHz |
DL pro | 369 .. 519, 628 .. 1770 nm | 10 .. 300 mW | 2 .. 100 nm | ≥ 20 GHz | 10 .. 500 kHz |
DL 100 | 370 .. 1770 nm | 3 .. 300 mW | 2 .. 100 nm | 20 GHz | 100 kHz .. 1 MHz |
DFB pro | 633 nm, 760 nm - 3500 nm | 2 .. 150 mW | 2 .. 6 nm | 1000 GHz | 1 .. 5 MHz |
光増幅器型半導体レーザー
| Wavelength | Output power | Typical tuning range | Typical mode-hop-free tunability | Typical linewidth (5 µs) | |
|---|---|---|---|---|---|
TA pro | 660 .. 1495 nm | Up to 4 W | 10 .. 50 nm | 20 - 50 GHz | 10 kHz .. 1 MHz |
BoosTA | 660 .. 1495 nm | 0.25 .. 1.5 W | 10 .. 50 nm | Depends on master laser | Depends on master laser |
BoosTA pro | 660 .. 1495 nm | Up to 4 W | 10 .. 50 nm | Depends on master laser | Depends on master laser |
レーザー制御エレクトロニクス
| DLC pro | チューナブルレーザーのためのオールデジタル制御。最小のノイズ & ドリフト性能。 |
| SYS DC 110 | チューナブルレーザーのためのアナログ制御。低ノイズ & ドリフト性能。豊富なオプション群。 |
レーザー周波数ロッキングエレクトロニクス
| DigiLock 110 | デジタルレーザーロッキングモジュール |
| FALC 110 | 高速アナログロッキングモジュール |
| PDH/DLC pro | Pound Drever Hall Module for DLC pro |
| PDD 110/F | パウンドドレバーホールモジュール for SYS DC 110 |
| PID 110 | 多目的 PID レギュレーター |
| DLC pro Lock | DLC pro 用ソフトウェアライセンス キー |
周波数変換型半導体レーザー
| Wavelength | Output power | Typical tuning range | Typical mode-hop-free tunability | Typical linewidth (5 µs) | |
|---|---|---|---|---|---|
SHG pro | 190 .. 800 nm | Up to 20 W | 1 - 15 nm | > 20 GHz | < 500 kHz |
TOPO | 1450 - 4000 nm | up to 4 W | 1450 - 4000 nm | Up to 300 GHz | < 2 MHz |
DL-SHG pro | 320 .. 680 nm | 1 .. 50 mW | 2 .. 15 nm | > 20 GHz | < 500 kHz |
TA-SHG pro | 330 .. 780 nm | Up to 2 W | 2 .. 20 nm | > 20 GHz | < 500 kHz |
TA-FHG pro | 190 .. 390 nm | Up to 500 mW | 1 .. 10 nm | > 40 GHz | < 500 kHz |