テラヘルツ光伝導アンテナ

パルステラヘルツ発生用コンパクトモジュール

  • ファイバー結合型InGaAsアンテナ
  • SM/PMファイバーピグテールとシリコンレンズ付属
  • 高帯域幅 > 6 THz、標準出力 70 µW
  • TeraFlash proおよびTeraFlash smartのコアコンポーネント

最先端技術によるパルステラヘルツ発生：InGaAsアンテナは最大400 µWの出力と6 THzの帯域幅を提供します。フラウンホーファー・ハインリッヒ・ヘルツ研究所（ドイツ・ベルリン）が開発した最高品質を誇るエミッターモジュールとディテクターモジュールは、シリコンレンズとSM/PMファイバーをパッケージ化しており、透過実験または反射実験において柔軟に配置できます。

技術仕様

  Photoconductive Switches (光伝導スイッチ)
テラヘルツエミッター ストリップラインアンテナ付きInGaAs/InP光伝導スイッチ
テラヘルツレシーバー ダイポールアンテナ付きInGaAs/InP光伝導スイッチ
エミッター/レシーバ―帯域幅 6 THz
半導体材料 InP上のInGaAsとInAlAsの多層構造
励起波長 1.5 µm
テラヘルツ波出力(典型値) Typ. 70 µW @ 20 mW レーザー入力時
パッケージ 円筒型、SiレンズとSM/PMファイバーピグテールを一体化
エミッター/レシーバーモジュール：直径25 mm、長さ34 mm
推奨使用条件 レーザー出力：平均20 mW
最大バイアス電圧：+100 V（ユニポーラ、エミッタ向け）、± 3 V（レシーバ向け、動作テスト時のみ使用）

 

追加情報

ドキュメント

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