193 nm sub-mW

193 nm连续单频半导体激光器

  • < 1 mW,连续,单频,193 nm
  • 短期线宽 < 1 MHz,相干长度 > 150 m
  • 被动频率稳定性: < 400 MHz/K
  • 主动频率频率稳定性可达MHz
  • 粗调范围可达5 nm(需要校准)

我们已经在诸多研究原型机及科研论文中证明了我们可以提供卓越的深紫外连续激光器(DUV,比如小于205 nm的激光器)。为了实现紫外波长,我们是将功率放大后的外腔半导体激光器,通过两次倍频而实现(TA-FHG pro)。

为了实现深紫外波长,我们利用了一个非常特殊的非线性晶体。迄今为止,在研究用的原型机中,通过缩短校准前的运行时间,该激光器已经可以用于销售,并且已经在个别用户成功运行了一段时间。这些激光器现阶段已经可以在科研环境下进行使用,或者在已培训人员的操作下和定期维护下,可用于研究用途。我们现在正在研发并制造更加耐用的系统,并将提供更高的输出功率。  

如果您有特殊要求和长期计划,请随时联系并挑战我们